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型号 SI4435DY
厂商 Fairchild Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
SI4435DY PDF
代理商 SI4435DY
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图 Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
标准包装 1
系列 PowerTrench®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 8.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1604pF @ 15V
功率 - 最大 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1604 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI4435DYCT
SI4435DYCT-ND
SI4435DYFSCT
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